s3c2440裸机编程-nandflash

1 nandflash原理#

1.1 原理图#

1.2 引脚描述#

引脚名称 引脚功能
IO0~IO7 数据输入输出（命令、地址、数据共用数据总线）
CLE 命令使能
ALE 地址使能
/CE 芯片使能（片选）
/RE 读使能
/WE 写使能
R/B 就绪/忙输出信号（低电平表示操作还在进行中，高电平表示操作完成）

1.3 nand存储结构#

我们常见的Nand Flash，内部只有一个chip，每个chip只有一个plane。但也有些复杂的，容量更大的Nand Flash，内部有多个chip，每个chip有多个plane，这类的Nand Flash，其实就是多了一个主控将多块flash叠加在一起，如下图：

1.3.1 Block块#

一个Nand Flash由很多个块（Block）组成，块的大小一般有64K，128KB，256KB，512KB，Block是Nand Flash的擦除操作的基本/最小单位。Nand Flash中，一个块中含有1个或多个位是坏的，就称为其为坏块Bad Block。

1.3.2 Page页#

每个块里面又包含了很多页（page）。每个页的大小，对于现在常见的Nand Flash多数是2KB，当然也有的nand flash的页大小为4KB、8KB等。页Page，是读写操作的基本单位。

1.3.3 oob区域#

每一个page页，对应还附加了一块区域，一般为64byte，叫做空闲区域（spare area）/oob区域（Out Of Band），由于nandflash在操作过程中容易产生位反转，这是nandflash的物理特性决定的，所以必须要有对应的检测和纠错机制，这种机制被叫做Error Checking and Correcting，所以设计了多余的oob区域，用于放置数据的校验值。oob的读写操作，一般是随着页的操作一起完成的，即读写页的时候，对应地就读写了oob。

关于oob具体用途，总结起来有：

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标记是否是坏快
存储ECC数据
存储一些和文件系统相关的数据。如jffs2就会用到这些空间存储一些特定信息

1.3.4 存储单位关系#

一般情况下：1block = 64page = 64 * (2K+64B) = 128K + 4K， 一个page包含2K数据和64B的oob。

1.4 Feature特性#

以K9F2G08U0C这款nandflash为例：

可以看出此款nandflash特性如下：

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1. 容量为256M，外加8M的冗余oob存储区。
2. page大小为2K，block大小为128K
3. 读一个page时顺序读取至少25*2048ns(数据可以每字节25ns的循环时间读出)，随机读取不超过40us
4. 写一个page一般为250us
5. 擦除一个block一般为2ms
6. 封装上分为TSOP分装和FBGA封装（TSOP是指引脚在侧面，FBGA是引脚封在芯片底部，更能保障数据安全，有些客户为了保障数据安全性，防止被飞线进行数据破解，会要求用FBGA封装的flash）

1.5 常见的flash厂商#

常见的flash厂商有：Micron（镁光）、Toshiba（东芝）、Samsung（三星）、MXIC(旺宏)、dosilicon(东芯)，（Winbond）华邦、ESMT等。

2 Nand控制器#

前面s3c2440裸机编程-内存控制器介绍讲到，我们知道nand没有独立地址线，cpu无法直接访问nand上的指令，所以nand不能片上执行。那么为何程序还能支持nand启动的呢？

为了支持NAND启动，S3C2440A配备了一个称为“ Steppingstone”的内部SRAM缓冲区,容量为4K。 开机时，Nandflash中的前4K数据将被加载到Steppingstone中，而引导代码将被加载到SRAM中将被执行，如下图所示：

2.1 OM启动介质选择#

我们知道s3c2440支持2种boot方式，nand或者nor，那么需要配置OM引脚来设置引导方式，如下图：

内存控制器的地址映射表如下：

当SW2闭合,OM0=1, OM[1:0]=01, 0地址对应nor，那么从nor启动。
当SW2断开,OM0=0, OM[1:0]=00, 0地址对应bootSRAM(4K)，那么0地址对应该SRAM, 那么从nand启动。

2.2 nand控制器引脚配置#

当上电启动时，NAND Flash 控制器将通过下面的引脚配置来获取连接的 NAND Flash 的信息。

NCON：NAND Flash 存储器选择（普通/先进）

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0：普通 NAND Flash（256 字或 512 字节页大小，3 或 4 个地址周期）
1：先进 NAND Flash（1K 字或 2K 字节页大小，4 或 5 个地址周期）

GPG13：NAND Flash 存储器page size选择

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0：页=256 字（NCON=0）或页=1K 字（NCON=1）
1：页=512 字节（NCON=0）或页=2K 字节（NCON=1）

GPG14：NAND Flash 存储器地址周期选择

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0：3 个地址周期（NCON=0）或 4 个地址周期（NCON=1）
1：4 个地址周期（NCON=0）或 5 个地址周期（NCON=1）

GPG15：NAND Flash 存储器总线宽度选择

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0：8 位宽度
1：16 位宽度

如下表所示更直观:

3 Nand控制器访问时序#

nandflash访问时需要遵循一定的时序才能完成命令、地址、数据的发送。nandflash有8bit位宽数据总线，那么没有地址线它是怎么和cpu通信的呢？

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1.nandflash是DATA0～DATA7上既传输数据，又传输地址，又传输命令；
	①当ALE为高电平时传输的是地址；
	②当CLE为高电平时传输的是命令；
	③当ALE，CLE都为低电平表示传输的是数据

 2. 先发送片选CS和WE/RE信号
 3. 再发送CLE
 4. 再发送ALE
 5. 最后发送数据

下面分别介绍命令、地址、数据的发送过程。

3.1 命令/地址锁存时序(写命令/地址)#

  1. 首先看时钟，nand控制器的时钟源采用的是HCLK, 也就是AHB高速总线模式，可以参考s3c2440裸机编程-时钟体系那么HCLK=100Mhz, T=1/HCLK=10ns。
  2. 从上图可知命令、地址锁存的时序是一样的，复用一个时序图，当到达①的位置时，CLE/ALE=0;
  3. 当到达位置②时，CLE/ALE=1,表示命令/地址信号拉高，命令/地址开始使能，然后往数据总线DATA上放入命令或地址;
  4. 经过TACLS时间，到达位置③时，拉低nWE引脚，这时数据总线DATA上的命令/地址开始被锁存，锁存需要一定的时间，所以经过TWRPH0时间后，数据总线DATA上的命令/地址锁存完成；
  5. 到达位置④，此时释放nWE信号，nWE=1，这时还需要经过TWRPH1时间后，释放CLE/ALE，此时一个完整的命令/地址锁存过程完成。

上面分析了命令/地址的锁存时序过程，下面详细解释下上面几个时间参数的含义：

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TACLS：CLE/ALE使能信号发送多久后才可以发送nWE信号
TWRPH0:nWE信号发送多久后数据（commamd/addr）才会被锁存成功
TWRPH1：nWE信号释放多久后才能释放CLE/ALE

这些时间参数要根据我们实际使用的具体nandflash型号和性能来配置我们的nand控制器。

3.1.1 K9F2G08U0C命令/地址锁存时序#

以K9F2G08U0C这款nandflash为例进行讲解，规格书上命令和地址锁存周期如下：

和nand控制器的命令/地址锁存时序图对比发现:

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TACLS = max(tCLS,tALS) - tWP;
TWRPH0 = tWP;
TWRPH0 = max(tCLH,tALH);

nand控制器把命令、地址锁存时序复用成了一个时序图，其实命令和地址锁存时序参数基本一致，只不过发命令只需要一个周期就OK了，发地址需要5个时钟周期，为什么？

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你想，命令多简单，无非就是读写擦，像我们这款nand数据位宽8bit，一个周期绰绰有余。但地址就不一样了，比如此款nandflash容量256M = 2^28，那么需要28根数据线来传输才能一个周期传输完，但这款nandflash的数据总线位宽只有8bit, 只有8根数据线，所以需要把地址拆分成多次发送，先发送col地址，再发送row地址，此款nandflash是用了5个周期发送地址。

3.2 数据锁存时序(写数据)#

从前面的命令地址锁存时序图中我们得知：

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CLE信号拉高，ALE信号拉低时，表示发送的命令；
CLE信号拉低，ALE信号拉高时，表示发送的地址；

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CLE信号拉低, ALE信号拉低时，表示发送的数据;
  1. 当到达①时，nWE还是高电平，写使能没有开启；
  2. 当到达②,③时，那么经过了tWP时间（TDS时间），数据开始被锁存；
  3. 到达④，经过tDH时间，数据锁存完成;
  4. 到达⑤，也就是数据开始锁存后再过了tWH时间后释放nWE信号；
  5. 重复②③④⑤过程,得到DIN0, DIN1, DIN final。

根据上面这三个图（手册上的命令、地址、数据锁存时序图），下面详细解释各个时间参数的含义：

3.3 数据顺序读时序(读数据)#

  1. ①处，表示要过tRR后才能发送读使能信号nRE进行访问（上一次的访问结束后，需要等待ready状态稳定后才可以进行下一次访问）；
  2. 当到达②，需要经过rREA时间后nRE信号才有效（待nRE稳定）；
  3. 当到达③，DATA总线上的读取被读取；
  4. 当到达④，nRE释放tREH时间后才允许下一次读使能；

我们看到连续顺序访问时，单次访问的时间为tRC，那么这些时间参数的值也可以从K9F2G08U0C datasheet中找到：为25ns

4 nandFlash初始化和识别#

4.1 nandFlash命令表#

找到K9F2G08U0C datasheet，对NAND FLASH的操作需要发出命令，下面有个NAND FLASH的命令表格，用此表格上的命令来访问我们的nandflash：

4.2 读ID时序#

命令表中的读id还不太直观，下图是从nand芯片手册中截取出的读id时序图：

  1. 第一条竖线位置，发送了nCE,CLE,nWE信号，所以90命令被锁存（readID命令）；
  2. 第二条竖线位置，发送了nCE,ALE,nWE信号，所以地址00被锁存；继续往后，命令、地址都发完了，要read数据了，所以释放nWE，ALE，这里tAR表示ALE释放多久后才可以发送nRE信号，tREA表示nRE信号的建立时间；
  3. 第三条竖线位置，发送了nCE,nRE信号，所以数据被锁存，第一个访问周期锁存的数据为marker code，值为0xEC，第二个访问周期的数据为device code，值为0xDA。读id时读5个周期含义对应如下表：

该款nandflash的5个周期读出来的值对应如下：

第四个访问周期含义如下表：

第五个访问周期含义如下表：

根据第4、5个访问周期的结果0x15、0x44我们得知该flash的block_size=128K，page_size=2k, 有2个plane，plane_size=1Gb = 128M, 共256M。

4.3 初始化#

4.3.1 初始化nand控制器#

4.3.1.1 NFCONF-配置寄存器#

nand控制器要按照我们nandflash的实际型号和性能来设置初始值。NFCONF寄存器，也叫nand配置寄存器：

以K9F2G08U0C这款nandflash为例：

前面第3.1.1小节分析了TACLS = max(tCLS,tALS) - tWP，我们得知tCLS、tALS、tWP最小都可以取到12ns, 所以我们可以取TACLS=0；

TWRPH0 = tWP，我们的nand手册上要求tWP最少12ns, 那么取TWRPH0 =1， Duration = HCLK*(TWRPH0+1)=20ns>12ns，满足要求；

TWRPH0 = max(tCLH,tALH), 我们的nand手册上要求tCLH、tALH最少5ns， 那么取TWRPH1 =0， Duration = HCLK*(TWRPH1+1)=10ns>5ns，满足要求。

再配置BusWidth总线位宽为8bit；
所以NFCONF寄存器设置如下：

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#define  TACLS   0
#define  TWRPH0  1
#define  TWRPH1  0
/*设置NAND FLASH的时序*/
NFCONF = (TACLS<<12) | (TWRPH0<<8) | (TWRPH1<<4);

4.3.1.2 NFCONT-控制寄存器#


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MODE [0]: 设置为1，使能NAND控制器。
Reg_nCE [1]: 设置为1，禁止片选（等要使用的时候再使能片选信号）

所以NFCONF寄存器设置如下：

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/*使能NAND FLASH控制器，禁止片选*/
NFCONT = (1<<1) | (1<<0);

4.4 识别nandflash#

4.4.1 NFCMMD-命令寄存器#

我们可以使用2440上的NAND FLASH控制器简化操作，只需要往NFCMMD寄存器写入要传输的命令就可以了，NAND FLASH控制器默认把上面复杂的时序发出来。

NFADDR-地址寄存器

发命令后，后面就需要发送地址了，当nWE和ALE有效的时候，表示锁存的是地址，往NFADDR寄存器中写值就可以了，比如：NFADDR=0x00。
我们得知地址需要用5个周期来发送，前2个周期为col地址，后三个周期为row(page)地址。前面第3小节已详细分析过了命令、地址、数据锁存时序过程。

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1. column: 列地址A0~A10，就是页内地址，地址范围是从0到2047。（A11用来确定oob的地址，即2048-2111这64个字节的范围）
2. page：A12～A30，称作页号，page(row)编号。

4.4.2 NFDATA-数据寄存器#

当命令、地址都发送完后就可以从数据总线上DATA[7:0]获取数据或者写入数据。同样往NFDATA寄存器中写值或者读值就可以了，如unsigned char buf=NFDATA,由于是数据位宽是8位的，所以访问时数据组织形式如下：

从上图可以看出，当byte access时，只需一个时钟周期；当wold access的时候，需要4个时钟周期，小端模式下第一个时钟周期对应低字节，第四个时钟周期对应高字节。

识别nandflash代码如下：

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/*初始化nand控制器*/
void nand_init(void) {
	#define  TACLS   0
	#define  TWRPH0  1
	#define  TWRPH1  0
	NFCONF = (TACLS<<12) | (TWRPH0<<8) | (TWRPH1<<4);

	NFCONT = (1<<1) | (1<<0);
}

/*使能片选*/
void nand_select(void) {		
	NFCONT &=~(1<<1);
}
/*禁止片选*/
void nand_deselect(void) {
	NFCONT |= (1<<1);
}
/*发命令*/
void nand_cmd(unsigned char cmd) {
	volatile int i;
	NFCCMD = cmd;
	for(i=0; i<10; i++);
}
/*发地址*/
void nand_addr_byte(unsigned char addr) {
	volatile int i;
	NFADDR = addr;
	for(i=0; i<10; i++);
}
  /*读数据*/
  unsigned char nand_data(void) {
      return	NFDATA;
  }
/*识别nandflash*/
void nand_chip_probe(void) { 
	unsigned char buf[5]={0};
	
	nand_select(); 
	nand_cmd(0x90);
	nand_addr_byte(0x00);

	buf[0] = nand_data();
	buf[1] = nand_data();	
	buf[2] = nand_data();
	buf[3] = nand_data();
	buf[4] = nand_data();	
	nand_deselect(); 	

	printf("maker   id  = 0x%x\n\r",buf[0]);
	printf("device  id  = 0x%x\n\r",buf[1]);	
	printf("3rd byte    = 0x%x\n\r",buf[2]);		
	printf("4th byte    = 0x%x\n\r",buf[3]);			
	printf("page  size  = %d kb\n\r",1  <<  (buf[3] & 0x03));	
	printf("block size  = %d kb\n\r",64 << ((buf[3] >> 4) & 0x03));	
	printf("5th byte    = 0x%x\n\r",buf[4]);
}

5 NandFlash数据操作#

5.1 读数据#

读数据以page为单位的。下图的表格，来说明NAND FLASH内部结构，前面2K(02047)表示页数据，后边64字节(20482111)表示oob。

CPU想读取，第2048个数据，它是哪以一个？

是Page1的第0个字节。CPU使用某个地址访问数据的时候，是在页数据空间来寻址的。

下图为读NAND FLASH的read时序操作：

  1. 首先需要锁存00命令，nCE、CLE、nWE有效，0x00命令被锁存；
  2. 此时CLE无效，ALE开始有效,地址被锁存（从NAND FLASH的地址周期中可以看出来，先发出2个周期的col列地址，再发出3个周期的Row行地址）；
  3. 锁存0x30命令；
  4. 然后会有一个busy时间段，R/nB为低电平。tRR表示busy状态的持续时间（手册上最小为20ns）。
  5. 开始锁存数据，nRE使能，nand上的数据被同步到数据nand控制器上。我们的nand是8bit数据位宽，所以每隔一个read时钟周期（tRC），传输1byte数据。每传输1byte数据，地址会自动往后偏移1byte，一般我们会连续读取1page数据。

下面开始写代码：

5.1.1 NFSTAT-状态寄存器#

当发完命令、地址后再进行读数据前我们知道有一段时间tRR处于busy状态，我们可以通过查询NFSTAT寄存器来确定busy状态有没有结束，是不是已经ready了。

wait_ready函数等待NAND FLASH空闲，从上图可以看出当NFSTAT寄存器[0]的值为1时NAND FLASH是空闲的，我们可以通过该位来判断NAND FLASH是否繁忙。代码如下：

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void wait_ready(void) {
	 while (!(NFSTAT & 1));
}

nand_read函数为NAND FLASH的读函数，代码如下：

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void nand_read(unsigned int addr, unsigned char *buf, unsigned int len) {
	int i = 0;
	int page = addr / 2048;
	int col  = addr & (2048 - 1);

	nand_select(); 

	while (i < len) {
		/* 发出00h命令 */
		nand_cmd(00);
		
		/* 发出地址 */
		/* col addr */
		nand_addr_byte(col & 0xff);
		nand_addr_byte((col>>8) & 0xff);
		
		/* row/page addr */
		nand_addr_byte(page & 0xff);
		nand_addr_byte((page>>8) & 0xff);
		nand_addr_byte((page>>16) & 0xff);
		
		/* 发出30h命令 */
		nand_cmd(0x30);
		
		/* 等待就绪 */
		wait_ready();
		
		/* 读数据 */
		for (; (col < 2048) && (i < len); col++)
			buf[i++] = nand_data();			
		
		col = 0;
		page++;
	}

	nand_deselect(); 	
}

我们看到每read一个page，都要重新发送命令地址，因为这里是顺序访问，flash的读写都是以page为单位的。

5.1.2 自动识别是nor还是nand启动#

在init.c文件中，加上如下代码，用来判断所使用的FLASH是NOR FLASH还是NAND FLASH。代码如下：

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/*我们知道nand启动0地址对应片内SRAM，可以像内存一样的写0地址；nor启动，0地址对应nor,nor不能像内存一样的写地址，
**所以往0地址写入数据成功表示nand启动，写不成功表示nor启动
*/
int isBootFromNorFlash(void) {
	volatile unsigned int *p = (volatile unsigned int *)0;
	unsigned int val = *p;

	*p = 0x12345678;
	if (*p == 0x12345678) {
		/* 写成功, 对应nand启动 */
		*p = val;
		return 0;
	} else
		return 1;
}

下面是代码重定位时可以自动区分nand和nor启动，无论是nand启动还是nor启动，都能将程序重定位到sdram中去。

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void copy2sdram(void) {
            /* 要从lds文件中获得 __code_start, __bss_start
            * 然后从0地址把数据复制到__code_start
        */
    
        extern int __code_start, __bss_start;
    
        volatile unsigned int *dest = (volatile unsigned int *)&__code_start;
        volatile unsigned int *end = (volatile unsigned int *)&__bss_start;
        volatile unsigned int *src = (volatile unsigned int *)0;
        unsigned int len = (unsigned int)(&__bss_start) - (unsigned int)(&__code_start);
    
        if (isBootFromNorFlash()) {
              while (dest < end)
                    *dest++ = *src++;
        } else {
    	    nand_init();
    	    nand_read((unsigned int)src, dest, len);
        }
 }

5.2 擦数据#

擦除数据以block为单位的。block erase时序图的过程大致如下：

1.首先发送0x60命令
2.发送row地址（由于擦除是以block为单位的，所以无需知道页内地址，只需要知道要擦除哪个page、哪个block即可）
3.发送0xd0,执行擦除动作
4.然后会有一个busy时间段，R/nB为低电平
5.发送0x70命令，用来读取状态
6.判断NFDATA寄存器的第0位是否擦除成功

代码实现如下：

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int nand_erase(unsigned int addr, unsigned int len) {
		int page = addr / 2048;
	
		if (addr & (0x1FFFF)) {
			printf("nand_erase err, addr is not block align\n\r");
			return -1;
		}
		
		if (len & (0x1FFFF)) {
			printf("nand_erase err, len is not block align\n\r");
			return -1;
		}
		
		nand_select(); 
	
		while (1) {
			page = addr / 2048;
			
			nand_cmd(0x60);
			
			/* page addr */
			nand_addr_byte(page & 0xff);
			nand_addr_byte((page>>8) & 0xff);
			nand_addr_byte((page>>16) & 0xff);
	
			nand_cmd(0xD0);
	
			wait_ready();
	
			nand_cmd(0x70);
			if (nand_data()&0x1) {
				printf("nand_erase err, at addr:0x%x\n\r", addr);
				return -1;
			}
	
			len -= (128*1024);
			if (len == 0)
				break;
			addr += (128*1024);
		}
		
		nand_deselect(); 	
		return 0;
}

5.3 写数据#

写数据以page为单位。往NAND FLASH写数据时，只需要把要写的数据复制给NFDATA寄存器即可。代码如下：

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void nand_w_data(unsigned char val) {
	NFDATA = val;
}

page write的写时序图如下：

1.首先发送0x80命令
2.发送地址（5个周期）
3.发送数据
4.发送0x10命令，执行烧写动作
4.然后会有一个busy时间段，R/nB为低电平
5.发送0x70命令，用来读取状态
6.判断NFDATA寄存器的第0位是否烧写成功

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void nand_write(unsigned int addr, unsigned char *buf, unsigned int len) {
	int page = addr / 2048;
	int col  = addr & (2048 - 1);
	int i = 0;

	nand_select(); 

	while (1) {
		nand_cmd(0x80);

		/* 发出地址 */
		/* col addr */
		nand_addr_byte(col & 0xff);
		nand_addr_byte((col>>8) & 0xff);
		
		/* row/page addr */
		nand_addr_byte(page & 0xff);
		nand_addr_byte((page>>8) & 0xff);
		nand_addr_byte((page>>16) & 0xff);

		/* 发出数据 */
		for (; (col < 2048) && (i < len); col++)  //还需确认
			nand_w_data(buf[i++]);
		
		nand_cmd(0x10);
		wait_ready();
        
		nand_cmd(0x70);
		if (nand_data() & 0x1) {
			printf("nand_write err, at page:0x%x, addr:0x%x\n\r", page, page<<11);
			return -1;
		}

		if (i == len)
			break;

		/* 开始下一个循环page */
		col = 0;
		page++;	
	}
	
	nand_deselect(); 	
}

我们看到每写一个page，都要重新发送命令地址，因为这里是顺序访问，flash的读写都是以page为单位的。

5.4 测试#

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void do_erase_nand_flash(void) {
	unsigned int addr;
	
	/* 获得地址 */
	printf("Enter the address of sector to erase: ");
	addr = get_uint();

	printf("erasing ...\n\r");
	nand_erase(addr, 128*1024);
}

void do_read_nand_flash(void) {
	unsigned int addr;
	volatile unsigned char *p;
	int i, j;
	unsigned char c;
	unsigned char str[16];
	unsigned char buf[64];
	
	/* 获得地址 */
	printf("Enter the address to read: ");
	addr = get_uint();

	nand_read(addr, buf, 64);
	p = (volatile unsigned char *)buf;

	printf("Data : \n\r");
	/* 长度固定为64 */
	for (i = 0; i < 4; i++) {
		/* 每行打印16个数据 */
		for (j = 0; j < 16; j++) {
			/* 先打印数值 */
			c = *p++;
			str[j] = c;
			printf("%02x ", c);
		}

		printf("   ; ");

		for (j = 0; j < 16; j++) {
			/* 后打印字符 */
			if (str[j] < 0x20 || str[j] > 0x7e)  /* 不可视字符 */
				putchar('.');
			else
				putchar(str[j]);
		}
		printf("\n\r");
	}
}

void do_write_nand_flash(void) {
	unsigned int addr;
	unsigned char str[100];
	int i, j;
	unsigned int val;
	
	/* 获得地址 */
	printf("Enter the address of sector to write: ");
	addr = get_uint();

	printf("Enter the string to write: ");
	gets(str);

	printf("writing ...\n\r");
	nand_write(addr, str, strlen(str)+1);
}

说明：本节的读、写、擦都只涉及到页数据区，不涉及到oob区的操作。

5.5 坏快的标记和解除#

Nand Flash怎么标记某一个BLOCK是坏的? 如何识别一个flash中的坏快？ 

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它使用该BLOCK中第1个扇区的OOB数据中某一个字节来标记: 其值为0xff表示该BLOCK是好的， 其值为非0xff表示该BLOCK是坏的。
在uboot中直接输入“nand bad ”命令即可识别某一个块是否为坏快，在linux用户态的情况下，需要用ioctl(MEMGETBADBLOCK)来获取该block是否为坏快。
有时候我们会误写这个OOB区的值导致有些BLOCK被误认为是"坏块",可以在u-boot中执行"nand scrub"后, 根据提示信息输入小写字母'y'并回车, 它会强制擦除整个Nand Flash(包括把OOB擦除为0xff), 这样就可以恢复被误标为坏块的区域了。